穿越就被抓，我拯救华夏芯片 第58章 与海思的合作

华微的科学家团队实力非常强大，人数接近2000，这其中化学家100多名、数学家700多名、物理学家900多名。

这些科学家中，国外科学家占比为20-30%，大约是400-600人左右，并非路阳过于小心，科学无国界，但科学家有。

“所有参与光刻机升级的人员，尽量选择华国人，名单简历需要给到我们，每个人都必须签署保密协议，而且海思科技需要跟华芯签署保证书。”

作为华国科技企业的龙头，2018年的华微哪怕是放到国际上，都很少有人对他们有如此要求。

两人没想到路阳这么直接，倪雅南说道：“路总，生产线的所有费用由我们负责，如果涉及到改造升级，就算华微是无偿协助，这过程中所产生的研发成果归哪边所有呢？”

倪雅南这话的意思就是我们已经付过费用了，再派人协助已算还了人情，那么研发的成果华微应该享有一定比例。

路阳摇摇头，“升级成功后，无论是现在，还是以后，华芯都可以保证华微的芯片代工优先权，但光刻机的技术不可能分享，至少短期内是不可能的。”

刘永锐也对两人说道：“老何、倪总，这方面小路说得没错，把心思放其他方面吧，哪怕是华芯也不可能私下把技术转让给谁的。”

何洪年听懂了刘永锐的意思，决策权在顶层，技术这东西，参与项目的研发人员一定会掌握，只要这批人还在华微，其实都不会亏，至于更高层的东西，他们不需要考虑。

“好吧，小路，我可以答应你！你实话告诉我，有多大把握？”

“春节前，60%以上，至于是45纳米还是28纳米，需要你们做评估，我只能告诉你，现在的镜片技术不比蔡司的DUV光刻机差，不过在镜头组装方面，国内起步很晚，相关领域的人才很稀缺。”

何洪年想起刘永锐跟他说过的那句话，“路阳的话，你不仅要信，而且他吹的牛你也要信。”

两个月时间，能做到吗？他再次看向刘永锐。

老刘今天这个捧哏已经做到极限了，避开了何洪年的视线。

心说：“再多说几句我可就危险了。”

路阳是没有保密协议，可他有啊。

“行，我们立刻回深城组织人手，光学方面的科学家华微这边也不少，我会安排的，老刘，你不支持点人手？”

刘永锐摇摇头，“华芯九天那边现在人手都快不够了，人才储备还是太少了。”

这两家都是国内有名的以技术研发为基本的大佬，你们都说不够，那其他家会是什么情况？

路阳再次被刺激到，看来得跟老周好好沟通下这方面的事，国家派下来的人才，毕不可能永远待在华芯。

“光掩膜、光刻胶、衬底及外延，华芯九天那边现在主要方向在这三块，还是卡在设备上，华荣那边在整体负责采购，但效果不佳，最近被盯得很紧。”

刘永锐叹了口气，之前一直专注软件方面，现在开始逐步涉及到硬件才发现难度一点都不比软件差。

何洪年沉思几秒，回头对倪雅南说道：“集团这边看看能不能想办法，老刘这边帮了这么大的忙，我们也得表示表示。”

华微旗下的企业几十家，关系网络不是现在的华芯能够比拟的。

倪雅南还沉浸在刚才刘永锐的话语暗示中，忽然回过神来，思索几秒后说道，

“只是这三样生产线设备的话，问题不大，想想办法应该可以搞到，不过也得分散采购。”

路阳趁热打铁，“最好在年前运回国内，这事就拜托你们了。”

再过几天，那件大事就要发生，届时华微可就不一定能分出精力来帮忙了，必须在11月底前把事情定下来。

倪雅南见路阳亲自开口，也不好推脱，“路总放心，这事我亲自盯。”

“回头我让华荣的负责人联系你，资金由那边出！”

路阳这样安排也是有意让胡稚对接上华微，也许在其他方面也可以用下华微的采购渠道，以胡稚的精明，不用他打招呼那边都能明白。

几人又把事情的大致时间节点确认，详细的进度表这些交给何洪年去做。

第二次与华微的接触，双方都获得了想要的东西，晚餐自然是其乐融融。

回到公寓，路阳简单洗漱后，在电脑上查看DUV光刻机镜头的组装工艺以及相关教程。

光刻需要让紫外光经过掩膜版，把图案精确的聚集到基片上。

对高精度的光刻，图案的畸变要求小于几nm甚至1nm。

为了补偿畸变，需要对透镜或者反射镜精确调节，以前是对透镜或者反射镜的微元进行调节，现在比较先进的方法，对透镜或者反射镜进行温度控制来调节光路，最常见的一种做法是LELE（litho-etch-litho-etch）。

简单讲，就是做两次光刻，把掩模板的位置错开。

相邻的金属线如果做在同一层光掩膜版上，彼此之间就不能做的很近，但如果相邻金属线做在两层不同的光掩模版上的话，彼此之间就可以非常靠近。

这样，只需要把靠近的金属分布在两层不同的光掩模板上，就可以达到想要的效果。

另一种SADP（自对准双重成像技术）。

先通过较低精度的光刻，做出突起的光刻胶保护层（mandrel）。

再在“mandrel”的表面和侧面沉积一层厚度相对比较均匀的薄膜垫片，使用离子刻蚀工艺把沉积的垫片材料再刻蚀掉。由于“mandrel”侧壁的几何效应，沉积在图形两侧的晶圆材料会残留下来。垫片图形的间距是”mandrel”间距的一半，从而实现了空间图形密度的倍增。

理论上来说45纳米精度的DUV光刻机可以通过两次曝光生产7纳米制程的芯片，28纳米精度的DUV光刻机单次曝光就可以实现，无论是哪种方案，都需要研发人员的评估。

这方面路阳可以说是门外汉，但有廖老把关，只要设备能正常运行起来，无论结果如何，系统这边应该都会给出优化方案。

这便是路阳的计划，尽快让设备动起来，让系统去纠错，而且系统给的优化方案，在技术上会更先进。

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