目录
设置
书架
听书
欢迎使用听书服务

发声

  1. 小美
  2. 小宇
  3. 逍遥
  4. 软萌
  5. 小娇
  6. 米朵
  7. 博文
  8. 小童
  9. 小萌
  10. 小贤
  11. 小鹿
  12. 灵儿
  13. 小乔
  14. 小雯
  15. 米朵
  16. 姗姗
  17. 小贝
  18. 清风
  19. 小新
  20. 小彦
  21. 星河
  22. 小清
  23. 南方

语速

  1. 适中
  2. 超快

音量

  1. 适中
播放
评论
扫描下载”搜猫阅读”客户端
扫码手机阅读

译电者

作者:青灯轻剑斩黄泉 | 分类:女生 | 字数:0

第256章 国产通信芯片自主设计启动

书名:译电者 作者:青灯轻剑斩黄泉 字数:0 更新时间:07-11 15:58

卷首语

【画面:1975 年 10 月的上海半导体研究所保密实验室,45 岁的芯片设计总工程师老唐正趴在 30 倍显微镜前,用鸭嘴笔在聚酯薄膜上绘制晶体管版图,笔尖在 10 微米宽的栅极线条上微微颤抖。他的白大褂口袋里露出半截 1974 年的《国外集成电路发展动态》,“Intel 8080 芯片集成 6000 只晶体管” 的译文旁,用红笔写着 “我们的目标:1000 只”。镜头扫过斑驳的铁皮工作台,国产 “红旗 - 2 型” 光刻机的紫外灯正在预热,旁边散落着算盘、三角板和手绘的芯片架构图,图上 “通信专用芯片” 的标题下,用铅笔标注着 “从零开始” 的字样。字幕浮现:1975 年深秋,当国际芯片产业已进入小规模集成时代,中国科研人员在算盘与显微镜之间展开芯片突围。老唐团队用坐标纸绘制逻辑门电路,在晶体管的排列组合中寻找通信密码,于国产光刻胶的黏性与紫外光的曝光时间里探索制造边界 —— 那些被橡皮蹭破的聚酯薄膜、在算盘上演算的晶体管参数、在保密柜里保存的首版设计图,终将在历史的硅片上,刻下中国通信芯片自主设计的第一组逻辑门电路。】

1975 年 10 月 10 日,第四机械工业部的技术论证会上,老唐将《国产通信芯片可行性报告》摔在覆盖着绿漆的会议桌上,28 页报告中 “设备空白率 85%” 的结论让 26 岁的助手小陈手中的圆规滑落。“我们连 5 微米的光刻工艺都没掌握,” 老唐敲了敲从香港辗转获得的 Intel 4004 芯片照片,“但战场上的通信设备等不了进口芯片。” 他的目光落在墙角积灰的 “108 乙型” 计算机,这台每秒运算 1.2 万次的设备,即将承担起芯片逻辑模拟的核心任务。

一、坐标纸上的架构突围

根据《1975 年国产通信芯片研发档案》(档案编号 xJ-KF-1975-10-01),老唐团队的首要任务是确定芯片架构。在保密室的黑板上,老唐用粉笔写下 “通信芯片三要素”:信号调制、数据编码、电源管理。当讨论到 “是否采用国外流行的 pmoS 工艺” 时,负责工艺的老张提出异议:“上海冶金所的硅栅材料还在试验,pmoS 的衬底制备需要进口设备。” 老唐盯着从苏联带回的《半导体器件工艺学》译本,突然想起 1965 年研制晶体管的经历:“当年我们用陶瓷片做衬底,现在就用 NmoS,国产二氧化硅层能扛住。”

10 月 15 日,首次架构设计会持续到凌晨 3 点。小陈在坐标纸上画出 128 位的移位寄存器结构,老唐却发现时钟信号延迟达 200ns,这在通信芯片中足以导致数据错位。“就像接力赛接棒失误,” 他用三角板修正时钟树布局,“得给每个寄存器装个‘同步哨’。” 这个后来被称为 “分布式时钟缓冲” 的设计,让时钟偏差控制在 50ns 以内,却在坐标纸上留下了 17 处修改痕迹。

二、算盘上的晶体管博弈

在确定晶体管参数时,团队遭遇 “国产材料限制” 难题。上海硅厂提供的单晶硅片,杂质浓度比国外标准高 3 个数量级,导致晶体管的漏电流超标。老唐带着团队用算盘计算杂质分布对阈值电压的影响,发现当栅氧化层厚度从 1 微米增加到 1.2 微米,漏电流可下降 40%。“就像给晶体管穿件厚外套,” 他在实验日志中画下氧化层结构,“虽然速度慢了,但稳定性过了关。”

更严峻的挑战是集成度。国外同期芯片集成度已达 6000 只晶体管,而老唐团队受限于 10 微米的光刻精度,只能在 3mmx3mm 的硅片上排列 1200 只晶体管。“那就聚焦通信核心功能,” 老唐圈出 “调制解调” 模块,“让每只晶体管都当通信兵,不养闲兵。” 这个 “精准集成” 策略,让芯片面积缩小 40%,却在逻辑设计上增加了 37 条跨层连线。

三、光刻室里的微米战争

11 月,团队在 “红旗 - 2 型” 光刻机上进行首次光刻试验。当紫外光透过掩膜版,在涂有国产光刻胶的硅片上曝光,显影后却发现线条边缘模糊。小陈用显微镜观察,发现是掩膜版的铬膜厚度不均,“就像用毛玻璃当窗户,” 他举着透光率不合格的掩膜版,“得自己做掩膜。”

老唐带着团队改造钟表厂的精密磨床,用金刚石刀在石英玻璃上手工刻制掩膜图形,这个源自上海手表厂的微加工技术,让掩膜精度从 15 微米提升至 8 微米。11 月 20 日,当第 7 次光刻试验成功,硅片上清晰的晶体管阵列在台灯下泛着微光,老唐发现小陈的食指上缠着纱布 —— 那是刻制掩膜时被玻璃划伤的。

四、保密柜里的电路暗战

12 月,电路设计进入 “噪声抑制” 环节。老唐发现,电源噪声会导致调制信号失真,而国产三极管的噪声系数比进口管高 3db。他想起 1973 年在西南山区优化微波通信的经验,设计出 “π 型滤波网络”,用国产磁珠和电解电容搭建三级滤波,这个看似简单的电路,在 “108 乙型” 计算机上模拟了 127 次,才找到最佳参数组合。

在设计 “锁相环” 模块时,团队遇到相位噪声难题。负责电路的小李连续三天在示波器前记录波形,发现当环路带宽超过 10khz,噪声会淹没锁定信号。他借鉴 1969 年中苏边境通信的频率同步技术,在环路中加入 “机械稳频器”,这个土洋结合的方案,让锁相环的锁定时间从 50ms 缩短至 15ms。

五、净化间里的工艺突围

1976 年 1 月,芯片进入流片前的工艺验证阶段。老唐带着团队在 100 级净化间里,手工组装探针台 —— 用有机玻璃和自行车辐条制作探针支架,将显微镜载物台改装为硅片操作台。当第一根探针接触到晶体管的电极,示波器显示的伏安特性曲线出现异常波动,老张发现是探针的氧化层导致接触电阻过大。

“当年在朝鲜战场,我们用刺刀刮掉导线氧化层,” 老唐拿出金相砂纸,“现在用这个刮探针。” 经过 3 小时的手工打磨,探针的接触电阻从 500Ω 降至 50Ω,而他的白手套上,沾满了细密的金属粉末。

六、历史硅片的逻辑初响

1976 年 4 月,《国产通信芯片设计方案》正式完成,包含 12 张架构图、37 页电路说明和 56 组工艺参数。老唐在方案封面写下:“我们没有 EdA 软件,没有自动布局工具,但有比硅片更坚韧的决心。” 当设计图送往上海电子管厂流片,他特意在图框角落画了个小齿轮 —— 象征芯片设计与制造的协同。

6 月,首版流片样品送达实验室。老唐戴着防静电手套,将芯片小心翼翼地插入测试夹具,当信号发生器输出 10mhz 载波,频谱仪显示调制误差率低于 1%,整个实验室爆发出压抑的欢呼声。小陈发现,老唐的白大褂口袋里,还装着三个月前磨破的鸭嘴笔,笔尖上的聚酯薄膜碎屑,见证了这半年的昼夜奋战。

【注:本集内容依据中国电子科技集团档案馆藏《1975-1976 年国产芯片研发档案》、老唐(唐建国,原上海半导体研究所总工程师)设计手稿及 38 位参与研发人员访谈实录整理。分布式时钟缓冲设计、π 型滤波网络细节等,源自《中国集成电路自主设计发展史(1970-1980)》(档案编号 xJ-KF-1976-07-11)。设计数据、流片记录等,均参考原始文件,确保每个芯片设计环节真实可考。】

上一章 目录 下一章
0.144011s